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应用材料将协助全球领先的SiC芯片制造商增加产量

来源:互联网   发布日期:2021-09-10 14:31   浏览量:

  9月10日消息,应用材料宣布,该公司推出新的200亳米(8吋)化学机械研磨(CMP)系统,可精确移除晶圆上的碳化硅(SiC)材料,最大化芯片效能、可靠性和产能;且透过这项新的碳化硅芯片「热植入」技术,可在对晶格结构破坏最小的情况下注入离子,进而最大化发电量和组件产能。

应用材料将协助全球领先的SiC芯片制造商增加产量

  应用材料指出,公司推出这项新产品,将协助全球领先的SiC芯片制造商,从150毫米(6吋)晶圆制造升级为200毫米(8吋)制造,增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量,满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求。

  应用材料强调,由于SiC功率半导体可以高效地将电池功率转化为扭力,并提高电动车的性能和续航能力,因此市场需求极高。

  应用材料进一步指出,和硅比较,SiC本身较为坚硬,其原生缺陷可能会导致电气性能、功率效率、可靠性和产能下降,所以,需要更先进的材料工程技术来优化裸晶圆的生产,并建构对晶格损害最小的电路。

  全球最大SiC基板制造厂科锐 (Cree) 公司总裁暨执行长Gregg Lowe指出,交通产业电动化不断上升的,公司也正透过Wolfspeed技术,引领全球从硅转换到碳化硅,加速推动此一历史转折点。在更大型的8吋晶圆上提供最高效能的碳化硅功率组件后,公司不仅能提高终端客户的价值,还能满足不断成长的需求。

  Lowe补充说,应用材料支援并加快 Albany 8吋的制程检定,以及公司Mohawk Valley晶圆厂的多项设备安装,加速了这项转型。此外,应用材料ICAPS团队所开发的各种新技术,如热植入 (hot implant) 等,也扩大加深了彼此的技术合作,同时协助科锐在功率技术上的发展。